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一、電磁兼容技術(shù)基礎(chǔ)
1.EMC術(shù)語
2.EMC試驗項目
3.EMC測試標(biāo)準(zhǔn)
4.EMC認(rèn)證（CE、FCC、3C）
5.共模干擾與差模干擾

二、應(yīng)用電磁環(huán)境
1.應(yīng)用電磁環(huán)境
2.電力環(huán)境

三、產(chǎn)品認(rèn)證要求
1.FCC 認(rèn)證涵蓋內(nèi)容、認(rèn)證標(biāo)志、認(rèn)證方法
2.CE認(rèn)證涵蓋內(nèi)容、認(rèn)證標(biāo)志、認(rèn)證方法
3.CCC認(rèn)證涵蓋內(nèi)容、認(rèn)證標(biāo)志、認(rèn)證方法
4.BSMI認(rèn)證、VCCI認(rèn)證等內(nèi)容
5.4個EMI測試指標(biāo)(RE、CE、Harmonics、Flicker)
6.7個EMS測試指標(biāo)(RS、CS、ESD、EFT/B、DIP/i、PMS、Surge)

四、電磁兼容器件高頻特性分析及應(yīng)用注意事項
1.電容（穿心電容/普通電容/濾波器陣列）
2.電感
3.PCB走線
4.濾波器
5.TVS管/壓敏電阻
6.磁珠磁環(huán) 7.屏蔽電纜.

五、產(chǎn)品的常見問題點
1.機殼材料與接縫處理
2.面膜
3.數(shù)據(jù)接口
4.器件選型
5.電路設(shè)計
6.PCB布線
7.接地
8.生產(chǎn)防護(hù)
9.應(yīng)用現(xiàn)場干擾

六、 EMC設(shè)計規(guī)范

6.1電路原理圖EMI防護(hù)設(shè)計
1.單板濾波設(shè)計
2.晶振電源濾波電路
3.時鐘輸出匹配濾波設(shè)計
4.總線信號輸出匹配濾波設(shè)計
5.主芯片電源濾波設(shè)計
6.接口濾波
7.電源濾波電路
8.一般信號接口濾波設(shè)計
9.復(fù)位電路的EMC設(shè)計
10.撥碼電路的EMC設(shè)計 11.面板指示燈電路的EMC設(shè)計.

6.2PCB布局布線EMI防護(hù)設(shè)計
1.走線減小環(huán)路
2.接口地處理
3.濾波器前后走線
4.改善晶振布線
5.雙面單板設(shè)計.

6.3電線電纜EMC設(shè)計
1.電纜輻射原理
2.同軸電纜設(shè)計
3.平衡電纜設(shè)計
4.信電纜設(shè)計
5.屏蔽電纜轉(zhuǎn)接介質(zhì)
6.屏蔽線進(jìn)出屏蔽體設(shè)計
7.電纜進(jìn)出屏蔽體的設(shè)計方法
8.電纜屏蔽的關(guān)鍵要素
9.電纜屏蔽層接地方式.

6.4結(jié)構(gòu)EMC設(shè)計
1.如何進(jìn)行縫隙的屏蔽設(shè)計
2.信號線進(jìn)出屏蔽體設(shè)計
3.屏蔽機箱設(shè)計
4.屏蔽搭接設(shè)計案例
5.屏蔽材料的選型及安裝方法
6.EMI濾波器的安裝與結(jié)構(gòu)屏蔽
7.通風(fēng)孔屏蔽設(shè)計
8.塑膠件屏蔽設(shè)計
9.影響縫隙屏蔽的主要因素
10.緊固點設(shè)計要點.

6.5軟件處理

6.6接地規(guī)范
1.接地技術(shù)發(fā)展背景
2.接地的定義
3.接地方式分類
4.單板接地設(shè)計技術(shù)
5.背板接地設(shè)計技術(shù)
6.電源配電系統(tǒng)中接地設(shè)計
7.結(jié)構(gòu)搭接與接地
8.系統(tǒng)接地線設(shè)計
9.工作地（模擬地/數(shù)字地/信號地/功率地）
10.防浪涌接地（雷擊浪涌/上電浪涌）
11.安全接地 12.屏蔽接地

七、防靜電設(shè)計規(guī)范
1.高頻接地方法
2.孔隙的處理
3.耦合放電的共模和差模干擾防護(hù)（板級處理措施）.

八、雷擊浪涌設(shè)計規(guī)范
1.雷擊浪涌接地處理
2.上電浪涌的過渡過程影響
3.浪涌常用器件和電路的機理及參數(shù)選擇.

九、EMC應(yīng)力與器件的失效機理
1.ESD損傷機理（電壓損傷和電流損傷）
2.靜電損傷的IV曲線檢測方法
3.EOS損傷的檢測方法.

十、熱設(shè)計、安規(guī)與電磁兼容設(shè)計
1.結(jié)構(gòu)、安規(guī)防護(hù)設(shè)計與電磁兼容設(shè)計的綜合權(quán)衡設(shè)計方