FIB技術介紹
FIB(聚焦離子束)是將液態金屬(Ga)離子源產生的離子束經過離子槍加速,聚焦后照射于樣品表面產生二次電子信號取得電子像.此功能與SEM（掃描電子顯微鏡）相似,或用強電流離子束對表面原子進行剝離,以完成微、納米級表面形貌加工.通常是以物理濺射的方式搭配化學氣體反應，有選擇性的剝除金屬,氧化硅層或沉積金屬層。
FIB技術的在芯片設計及加工過程中的應用介紹
FIB應用項目
◆?IC芯片電路修改
用FIB對芯片電路進行物理修改可使芯片設計者對芯片問題處作針對性的測試,以便更快更準確的驗證設計方案。?若芯片部份區域有問題,可通過FIB對此區域隔離或改正此區域功能,以便找到問題的癥結。
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FIB還能在最終產品量產之前提供部分樣片和工程片,利用這些樣片能加速終端產品的上市時間。利用FIB修改芯片可以減少不成功的設計方案修改次數，縮短研發時間和周期。
◆?Cross-Section?截面分析
????用FIB在IC芯片特定位置作截面斷層,以便觀測材料的截面結構與材質,定點分析芯片結構缺陷。
◆?Probing??Pad
????在復雜IC線路中任意位置引出測試點,?以便進一步使用探針臺(Probe-?station)?或?E-beam?直接觀測IC內部信號。
◆?FIB透射電鏡樣品制備
????這一技術的特點是從納米或微米尺度的試樣中直接切取可供透射電鏡或高分辨電鏡研究的薄膜。試樣可以為IC芯片、納米材料、顆粒或表面改性后的包覆顆粒，對于纖維狀試樣，既可以切取橫切面薄膜也可以切取縱切面薄膜。對含有界面的試樣或納米多層膜，該技術可以制備研究界面結構的透射電鏡試樣。技術的另一重要特點是對原始組織損傷很小。
關鍵應用技術
◆?微觀尺寸IC?芯片修改以糾正設計錯誤?
◆?更正銅線工藝及鋁線工藝的連線錯誤?
◆?分離芯片不同模塊以便糾錯?
◆?連接額外電阻，電容調試優化芯片功能?
◆?增加探測觸點，以便分析出錯原因
◆?材料及器件失效分析?
◆?掃描電鏡和透射電鏡樣品制備?
◆?材料和器件截面及截面二次電子像
關鍵FIB服務技術
◆?系統維修?
◆?技術改進和升級換代
◆?系統耗材和升級配件
◆?系統性能評估
◆?應用研發
◆?FIB用戶培訓
◆相關配套設備
面向對象
◆?針對應用產業：IC集成電路產業
◆?建議參加單位：IC芯片設計企業，具有IC研發項目的各大科研院校等
建議參加人員：芯片研發技術總監，芯片產品經理，IC芯片設計工程師，失效及可靠性分析工程師等
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